BFP420H6327XTSA1 ترانزستور Infineon NPN السيليكون RF
رقم الجزء: BFP420H6327XTSA1
لمحة عامة عن المنتج:الـBFP420H6327XTSA1هو عالية الأداءترانزستور NPN RFتم تصميم هذا المكون للتطبيقات التي تتطلب ضوضاء منخفضة، مكاسب عالية، وأداء عالية السرعة في حزم صغيرة.
الخصائص الرئيسية:
- النوع: ترانزستور NPN RF
- تردد الانتقال (ft): 25 غيغاهرتز
- رقم الضوضاء (NF): 0.75 ديسيبل عند 2 غيغاهرتز
- المكاسب (Gmax): 21 ديسيبل عند 1.8 غيغاهرتز
- الجهد الجهاز الجهاز الجهاز الجهاز الجهاز 2 فولت
- التيار الجمع (Ic): 20 مآ
- نوع الحزمة: SOT-343
- تبديد الطاقة (Ptot): 150 ميغاوات
- نطاق درجة حرارة العمل: -65°C إلى +150°C
- الامتثال: متوافقة مع RoHS
مجالات التطبيق:
- مكبرات الضوضاء المنخفضة:مثالية للاستخدام في دوائر مكبرات الضوضاء المنخفضة بسبب رقم الضوضاء المنخفض.
- أجهزة التذبذب عالية التردد:مناسبة لتطبيقات أوسيلاتور عالية التردد في أنظمة الاتصالات.
- مكبرات الراديو اللاسلكي:تستخدم في دوائر مكبرات الراديو اللاسلكي لتعزيز إشارة.
- الاتصالات:يوفر أداء موثوق به في أجهزة ونظم الاتصالات.
- معدات الاختبار والقياس:يضمن قياسات دقيقة ودقيقة في معدات الاختبار.
التثبيت والاستخدام:
الـBFP420H6327XTSA1تم تصميمها لدمجها بسهولة في الدوائر الإلكترونية. تتيح حزمة SOT-343 تركيب تقنية التثبيت السطحي المدمجة (SMT) على لوحات الدوائر المطبوعة (PCBs).من الضروري التعامل والتركيب بشكل صحيح لتحقيق أقصى قدر من الأداء والموثوقية.
أسباب اختيار BFP420H6327XTSA1:
اختيارBFP420H6327XTSA1يضمن أنك تستخدمترانزستور NPN RF عالي الجودةمعأداء ممتاز وموثوقيةهذا المكون سيزيد من كفاءة ووظائف أنظمتك الإلكترونية،ضوضاء منخفضة,مكاسب عالية، وأداء عالية السرعة.
شراء BFP420H6327XTSA1 اليوم لتحسين تصاميمك الإلكترونية وضمان أداء متفوق وموثوقية!
اتصل بنا:
للحصول على مزيد من المعلومات أو الدعم الفني، يرجى زيارة موقع Infineon Technologies أو الاتصال بفريق خدمة العملاء.هم متاحون لمساعدتك في أي استفسارات أو دعم قد تحتاج إليه.
![جودة [#varpname#] مصنع](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
IRF9328TRPBF Infineon قناة P واحدة HEXFET طاقة MOSFET
IRFR220NTRPBF Infineon واحد قناة N IR MOSFET
IRFR9120NTRPBF Infineon واحد قناة P IR MOSFET
IRLML2060TRPBF Infineon واحد قناة N HEXFET طاقة MOSFET
IRF540NSTRRPBF Infineon IR MOSFET 100 فولت في حزمة D2PAK
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
IRF9328TRPBF Infineon قناة P واحدة HEXFET طاقة MOSFET |
IRF9328TRPBF IRF9328 30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
|
|
|
|
IRFR220NTRPBF Infineon واحد قناة N IR MOSFET |
IRFR220NTRPBF IRFR220N 200V Single N-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
|
|
|
|
IRFR9120NTRPBF Infineon واحد قناة P IR MOSFET |
IRFR9120NTRPBF IRFR9120N 100V Single P-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
|
|
|
|
IRLML2060TRPBF Infineon واحد قناة N HEXFET طاقة MOSFET |
IRLML2060TRPBF IRLML2060 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package
|
|
|
|
IRF540NSTRRPBF Infineon IR MOSFET 100 فولت في حزمة D2PAK |
IRF540NSTRRPBF IRF540NS 100V33A IR MOSFET
|