IRFR9120NTRPBF Infineon واحد قناة P IR MOSFET

رقم الجزء: IRFR9120NTRPBF

لمحة عامة عن المنتج:الـIRFR9120NTRPBFهو عالية الأداءقناة P MOSFETتم تصميم هذا المكون للتطبيقات التي تتطلب التبديل الفعال، وانخفاض مقاومة، وأداء عالية السرعة في حزم صغيرة.

الخصائص الرئيسية:

1. النوع: قناة P MOSFET
2. فولتاج مصدر الصرف (Vds): -100 فولت
3. التيار المستمر للتفريغ (Id): -7.7A
4. الجهد الحدودي للبوابة (Vgs ((th)): -2 فولت إلى -4 فولت
5. حد أقصى لجهد مصدر البوابة (Vgs): ± 20 فولت
6. مقاومة التشغيل (Rds ((on)): 0.47Ω عند Vgs = -10V
7. إجمالي رسوم البوابة (Qg): 52nC
8. نوع الحزمة: DPAK (TO-252)
9. نطاق درجة حرارة العمل: -55°C إلى +150°C
10. الامتثال: متوافقة مع RoHS

مجالات التطبيق:

• تغيير التطبيقات:مثالية للاستخدام في دوائر التبديل عالية السرعة بسبب قدرات التبديل السريعة.
• مفاتيح الحمل:مناسبة للتطبيقات التي تتطلب مقاومة منخفضة والتحويل الفعال للحمل.
• محولات التيار المباشر إلى التيار المباشرتستخدم في دوائر تحويل الطاقة لتحسين الكفاءة
• محركات القيادة:يوفر أداء موثوق به في تطبيقات التحكم في المحرك
• إدارة البطارية:يضمن استخدام بطارية فعالة وحماية في الأجهزة التي تعمل بالبطارية.

التثبيت والاستخدام:

الـIRFR9120NTRPBFتم تصميمها لدمجها بسهولة في الدوائر الإلكترونية. تتيح حزمة DPAK (TO-252) تركيب تقنية التثبيت السطحي المدمجة (SMT) على لوحات الدوائر المطبوعة (PCBs).من الضروري التعامل والتركيب بشكل صحيح لتحقيق أقصى قدر من الأداء والموثوقية.

أسباب اختيار IRFR9120NTRPBF:

اختيارIRFR9120NTRPBFيضمن أنك تستخدمMOSFET قناة P عالية الجودةمعأداء ممتاز وموثوقيةهذا المكون سيزيد من كفاءة ووظائف أنظمتك الإلكترونية،التبديل الفعالوالمقاومة المنخفضة.

اشتري جهاز IRFR9120NTRPBF اليوم لتحسين تصاميمك الإلكترونية وضمان أداء وموثوقية متفوقة!

اتصل بنا:

للحصول على مزيد من المعلومات أو الدعم الفني، يرجى زيارة موقع Infineon Technologies أو الاتصال بفريق خدمة العملاء.هم متاحون لمساعدتك في أي استفسارات أو دعم قد تحتاج إليه.