QPD1015
المواصفات
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
20 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
70 W
Package / Case ::
NI-360
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
2.5 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
64 W
Manufacturer ::
Qorvo
مقدمة
QPD1015,من Qorvo, هي ترانزستورات RF JFET. ما نقدم له أسعار تنافسية في السوق العالمية, والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: