1N26
![جودة [#varpname#] مصنع](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
ASI / شركة أشباه الموصلات المتقدمة
الوصف:
ثنائيات PIN محكمة الغلق، DO-37، 2PIN
الفئة:
أشباه الموصلات الإلكترونية
المواصفات
Packaging ::
Bulk
Product Category ::
PIN Diodes
Manufacturer ::
ASI / Advanced Semiconductor, Inc.
مقدمة
1N26،من ASI/Advanced Semiconductor، Inc.، هي الديودات PIN. ما نقدمه لديه سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة
MZ0912B50Y
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
MRF557T
RF Bipolar Transistors RF Transistor
UML3
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
AGR21090EF
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
AGR18030EF
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
AGR18125EF
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
AGR09090EF
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
AGR19180EF
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
MZ0912B50Y |
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
|
|
|
|
MRF557T |
RF Bipolar Transistors RF Transistor
|
|
|
|
UML3 |
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
|
|
|
|
AGR21090EF |
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
|
|
|
|
AGR18030EF |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
|
|
|
|
AGR18125EF |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
|
|
|
|
AGR09090EF |
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
|
|
|
|
AGR19180EF |
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: